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据韩国媒体报导，为了应对市场对高机能HBM3E（高带宽内存第三代加强版）内存的激增需求，全球知名半导体系体例造商SK海力士已决议年夜幅增添其1b nm制程DRAM内存产能。这一计谋决议计划旨在确保公司可以或许不变供给高质量内存产物，同时进一步巩固其在全球半导体市场的领先地位。

HBM内存因其高带宽和低延迟特征，在高机能计较、人工智能等范畴具有普遍的利用。但是，与尺度内存比拟，HBM内存对DRAM裸片的耗损量庞大。为领会决当前HBM内存供给重要的问题，SK海力士决议加年夜1b nm制程DRAM的产能投入。

按照SK海力士的打算，到本年年末，该公司打算将1b nm内存晶圆的投片量增至9万片。而到了来岁上半年，这一数字将进一步增添到14至15万片。为了实现这一方针，SK海力士将对其位在京畿道利川市的M16内存晶圆厂进行进级，以知足1b nm工艺的出产需求。

业内专家暗示，SK海力士此次扩年夜1b nm DRAM产能的行动，不但有助在减缓HBM内存供给重要的问题，同时也将为公司带来更高的利润和更广漠的市场前景。在全球半导体市场延续火热的布景下，SK海力士的这一计谋决议计划无疑将进一步巩固其在市场中的竞争地位。

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